2月2日消息，在過去的幾周時間里，蘋果牽手英特爾的傳聞引發廣泛關注。
有證券機構披露，蘋果會讓英特爾代工部分M系列處理器和非Pro版iPhone芯片，預計在2027年發貨的低端M系列芯片以及2028年iPhone標準版芯片中使用英特爾18A-P工藝。
消息稱蘋果公司已經與英特爾簽署了保密協議，并獲取了其先進的18A-P工藝的PDK（工藝設計套件）樣本，用于產品評估。資料顯示，英特爾18A-P工藝是其首個支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術的工藝節點，該技術允許通過TSV實現多個小芯片的垂直堆疊。
不過行業人士對英特爾代工iPhone芯片潑了一盆冷水，認為英特爾絕無可能會代工iPhone芯片，主要原因是BSPD（背面供電）技術。
具體來說，臺積電是部分工藝節點采用BSPD、部分不采用，以此完善其產品組合；而英特爾則是在其最先進的18A和14A工藝上全面押注BSPD。
據悉，BSPD的優勢是提升芯片性能，由于芯片是通過背面更短、更粗的金屬路徑供電，這降低了電壓降，支持更高、更穩定的工作頻率，但是對于移動芯片而言，這種方案帶來的性能增益微乎其微。
更糟糕的是，該方案會帶來嚴重的自發熱效應，需要額外的散熱措施。因為垂直散熱效果較差，橫向散熱也很更糟，在許多依賴空氣散熱或有溫度限制的場景中，這根本無法實現。
由于這些散熱問題，行業人士認為，英特爾在短期內絕無可能獲得iPhone芯片的代工訂單。當然，M系列處理器由于散熱空間相對較大，或許仍存在合作的可能性。
