5 月 9 日消息，韓媒 Sedaily 援引行業消息人士的話稱，三星電子近日決定組建 1dnm DRAM 內存的技術開發團隊。
目前 DRAM 內存行業的最新制程是 10+ nm 系列的第五代工藝，即 1bnm；
三大內存廠商 —— 三星電子、SK 海力士和美光的下一代 DRAM 工藝 1cnm 將于今年三季度至明年投入量產；
而 1dnm 工藝又在 1cnm 之后，預計量產時間晚于 2026 年。
三星電子在開發每代 DRAM 工藝時，一般直到接近量產時的 PA（IT之家注：Process Architecture，工藝架構）階段才會組建包含半導體和工藝工程師的綜合團隊。
而在 1dnm 節點上，團隊召集時間提早了 1~2 年，目前該團隊的規模在數百人左右。
相較于目前的制程，1dnm 工藝將提升 EUV 光刻的用量，難度隨之加大。三星電子提前組建 1dnm DRAM 技術開發團隊旨在加速量產準備過程，縮短工藝優化周期。
自 2020 年來，三星電子難以在 DRAM 內存技術上維持領先：
1anm 節點上，美光率先量產；來到 1bnm，三家量產時間大致相當；而在即將到來的 1cnm 節點，SK 海力士有望取得領先。
而在產品端，由于此前解散 HBM 內存研發團隊的錯誤決定，三星電子目前在 HBM3 (E) 內存的競爭中也處于落后地位。
三星電子希望通過提前加大在 1dnm DRAM 開發上的人力資源投入，止住目前的頹勢，重新建立起內存技術優勢，并通過 DRAM 的技術升級推動 HBM 業務發展